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貼片磁珠阻抗值測量方法與關(guān)鍵技術(shù)解析

作者: 深圳市昂洋科技有限公司發(fā)表時間:2025-04-25 14:01:42瀏覽量:41

貼片磁珠作為EMI濾波的核心元件,其阻抗特性直接影響高頻噪聲抑制效果。由于磁珠的阻抗隨頻率呈現(xiàn)非線性變化(通常在100MHz~1GHz范圍內(nèi)阻抗值相差百倍以上),傳統(tǒng)萬用表無法滿足測量需求。本文結(jié)合行業(yè)實踐與標(biāo)準(zhǔn)規(guī)...
文本標(biāo)簽:

貼片磁珠作為EMI濾波的核心元件,其阻抗特性直接影響高頻噪聲抑制效果。由于磁珠的阻抗隨頻率呈現(xiàn)非線性變化(通常在100MHz~1GHz范圍內(nèi)阻抗值相差百倍以上),傳統(tǒng)萬用表無法滿足測量需求。本文結(jié)合行業(yè)實踐與標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,系統(tǒng)闡述貼片磁珠阻抗的測量方法及關(guān)鍵技術(shù)要點。




一、磁珠阻抗特性基礎(chǔ)


1. 等效電路模型


磁珠可等效為電阻(R)與電感(L)的串聯(lián)結(jié)構(gòu),其阻抗值Z計算公式為:


Z=R2+(2πfL)2


其中,電阻分量R由磁芯鐵損主導(dǎo),電感分量L由磁芯磁導(dǎo)率決定。高頻時(>100MHz),鐵損主導(dǎo)的電阻分量占主導(dǎo)地位,阻抗呈現(xiàn)純電阻特性。


2. 頻率-阻抗特性曲線


典型磁珠的阻抗-頻率曲線呈現(xiàn)"低頻低阻抗、高頻高阻抗"特征。例如,村田BLM18AG601SN1磁珠在100MHz時阻抗為600Ω,而到1GHz時可能超過1200Ω。選擇磁珠時需重點關(guān)注目標(biāo)抑制頻率點的阻抗值。


二、阻抗測量方法


1. 網(wǎng)絡(luò)分析儀法(標(biāo)準(zhǔn)方案)


設(shè)備要求:矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)或阻抗分析儀(如Keysight E4991B)。


測試步驟


校準(zhǔn):使用SOLT(短路-開路-負(fù)載-直通)校準(zhǔn)件進(jìn)行2端口校準(zhǔn)。


夾具設(shè)計:采用50Ω同軸傳輸線夾具,夾具電長度需<λ/20(λ為最高測試頻率波長)。


頻點掃描:設(shè)置起始頻率10MHz,終止頻率1GHz,掃描點數(shù)≥1000點。


數(shù)據(jù)記錄:導(dǎo)出S參數(shù)(S21),通過公式轉(zhuǎn)換得到阻抗值:


Z=50×1?S111+S11


典型測試結(jié)果:0805封裝的磁珠在100MHz時阻抗實部約550Ω,虛部<30Ω。


2. 信號發(fā)生器-示波器法(簡易方案)


設(shè)備要求:信號發(fā)生器(帶寬≥1GHz)、示波器(帶寬≥500MHz)、50Ω負(fù)載電阻。


測試步驟


搭建測試電路:信號源→磁珠→負(fù)載電阻→示波器。


輸入正弦波信號,頻率從1MHz逐步升至1GHz,步進(jìn)10MHz。


記錄輸入電壓Vin與負(fù)載電壓Vout,計算插入損耗:


IL=20log10(Vout/Vin)


通過公式反推阻抗:


Z=50×(10?IL/201?1)


誤差分析:該方法受限于示波器帶寬,高頻段(>500MHz)測量誤差可達(dá)±20%。


3. TDR時域反射法(高頻特性分析)


適用場景:評估磁珠的瞬態(tài)阻抗特性(如脈沖噪聲抑制)。


測試原理:通過階躍信號激勵,測量反射系數(shù)Γ,計算特征阻抗Zc:


Zc=Z0×1?Γ1+Γ


典型應(yīng)用:在USB 3.0(5Gbps)電路中,使用TDR驗證磁珠在2.5GHz處的瞬態(tài)阻抗是否符合<150Ω要求。

三、測量注意事項


1. 夾具去嵌入技術(shù)


由于測試夾具存在寄生參數(shù)(電感約0.5nH/mm,電容約0.1pF/mm),需采用去嵌入算法消除影響。例如,使用TRL(直通-反射-線)校準(zhǔn)法,可將測試精度提升至±5%。


2. 溫度補(bǔ)償


磁珠的磁導(dǎo)率隨溫度變化顯著,典型溫度系數(shù)為-1000ppm/℃。建議測試環(huán)境溫度控制在25±2℃,或使用高精度恒溫箱進(jìn)行補(bǔ)償。


3. 電流偏置影響


當(dāng)磁珠通過電流>額定電流的30%時,磁芯可能出現(xiàn)飽和現(xiàn)象,導(dǎo)致阻抗下降。例如,TDK MMBZ1608N102B磁珠在通過500mA電流時,100MHz阻抗從1000Ω降至750Ω。


四、典型應(yīng)用案例


1. 電源噪聲抑制


在DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出端使用BLM18PG121SN1磁珠(120Ω@100MHz),通過阻抗分析儀實測其工作阻抗為115Ω(偏差<4.2%),成功將100MHz噪聲電壓從120mV降至35mV。


2. 高速信號完整性


在PCIe 4.0(16Gbps)電路中,選用BLM21PG221SN1磁珠(220Ω@1GHz),TDR測試顯示其瞬態(tài)阻抗為215Ω,有效抑制了1.5GHz處的串?dāng)_噪聲。


貼片磁珠的阻抗測量需結(jié)合高頻測試設(shè)備與科學(xué)的校準(zhǔn)方法。網(wǎng)絡(luò)分析儀法作為行業(yè)金標(biāo)準(zhǔn),可實現(xiàn)±2%的測量精度;而信號發(fā)生器-示波器法適用于研發(fā)快速驗證。在實際應(yīng)用中,需重點關(guān)注磁珠的頻率-阻抗特性曲線、溫度穩(wěn)定性及電流偏置效應(yīng),通過精準(zhǔn)測量與合理選型,確保EMI濾波效果滿足設(shè)計要求。

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